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近日，广州南砂晶圆半导体技术有限公司凭借在碳化硅半导体领域的卓越表现，成功入选工业和信息化部新一批国家级专精特新重点 “小巨人” 企业名单，成为国家重点培育的产业链 “补短板、锻长板、填空白” 标杆企业。
2025年8月2日上午，“蒋民华先生诞辰90周年纪念大会暨先进材料高质量发展论坛”在山东大学中心校区隆重举行。本次活动由山东大学主办，大会主要包括蒋民华先生纪念活动、蒋民华先生诞辰90周年纪念大会暨先进材料高质量发展论坛开幕会、晶体材料学科发展专题座谈会、先进材料高质量发展论坛四部分。
日前，广州南砂晶圆半导体技术有限公司（以下简称“南砂晶圆”）在第十届国际第三代半导体论坛（IFWS2024）&第二十一届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2024）上荣获衬底及外延材料年度推荐品牌大奖，彰显了其在碳化硅衬底领域的卓越成就和行业领先地位。这一荣誉不仅是对南砂晶圆技术实力和市场影响力的认可，也是对其在推动第三代半导体产业发展中所做贡献的肯定。
ICSCRM 2024展会上，南砂晶圆重点展示了最新的8英寸导电型碳化硅衬底。该产品推出，标志着南砂晶圆在碳化硅衬底位错缺陷控制方面取得了重大突破。南砂晶圆实现近“零螺位错”密度和低基平面位错密度的8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备这一技术突破，不仅提升了产品的可靠性和性能，也为国产8英寸导电型衬底的产业化进程迈出了坚实的一步。展会期间，南砂晶圆团队与来自全球的行业专家、合作伙伴等进行了深入交流和讨论。众多参会人士对南砂晶圆展示的新产品和技术表示出浓厚的兴趣，并对公司的未来发展给予了高度期待。
南砂晶圆采用扩径生长制备了 8 英寸 4H-SiC 衬底，实现了近“零 TSD”和低 BPD 密度的 8 英寸衬底，可以满足生产需要。广东天域国产 8 英寸外延设备和开发的工艺包，实现了速率为 68.66μm/h 的快速外延生长，厚度不均匀性为 0.89%，掺杂不均匀性为 2.05%，这两个指标已经达到了 6 英寸外延膜的优良水平，完全可以满足生产需要。
